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意图颠覆中NAND 市占?长江存储新厂动工,产量将增3 倍
来源:    发布时间: 2020-06-29 22:33   43 次浏览   大小:  16px  14px  12px
Semiconductor Engineering 22 日报导,中国多数记忆体都仰赖进口,为了改善情况,中国开始发展记忆体,长江存储跨足3D NAND、长鑫存储则生产DRAM。去年长江存储首次成功出货64 层3D NAND,今年4 月还宣布研发出128 层3D NAND
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       Semiconductor Engineering 22 日报导,中国多数记忆体都仰赖进口,为了改善情况,中国开始发展记忆体,长江存储跨足3D NAND、长鑫存储则生产DRAM。去年长江存储首次成功出货64 层3D NAND,今年4 月还宣布研发出128 层3D NAND。目前长江存储技术仍落后同业,国际业者主要生产92 / 96层的3D NAND,并增产112 / 128 层3D NAND。尽管如此,长江存储有能力撼动中国市场。其记忆体已用于中厂生产的USB 卡和固态硬碟(SSD),TechInsights 分析师Jeongdong Choe 说,如果中国OEM 代工厂采用长江存储科技,有望颠覆NAND市占。
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       但中厂要在国际记忆体市场占有一席之地,仍有很长的路要走。IC Insights 董事长Bill McClean 说:IC Insights 高度怀疑,未来十年中国能否发展出具竞争力的本土记忆体产业,以满足中国的记忆体IC 需求。非记忆体晶片,如类比、逻辑、混合讯号、射频(RF)晶片也是如此,McClean 指出:中厂要在非记忆体市场具有竞争力,将花费数十年时间。